炸金花下载大全

设为主页  加入收藏
 
·降噪(ANC)蓝牙耳机方案/内置DSP音效处理单芯片蓝牙音响方案 ·马达驱动IC ·2.1声道单芯片D类功放IC ·内置DC/DC升压模块的D类功放IC ·同步DC-DC升压IC ·无线遥控方案
当前位置:炸金花下载大全 ->行业资讯
东芝存储器公司推出面向嵌入式应用的新型NAND闪存产品,以支持高速数据传输
文章来源:永阜康科技 更新时间:2019/9/29 9:40:00
在线咨询:
潘波 
张顺平 
张代明 
姚红霞 

新加入到产品阵容中的第二代串行接口NAND产品具有更高的性能和容量

全球存储器解决方案领导者东芝存储器公司(Toshiba Memory Corporation)今日宣布,该公司已推出其第二代NAND闪存产品系列,这些产品具有更高的性能和容量[1],适用于嵌入式应用,可支持高速数据传输。新推出的串行接口NAND产品与广泛使用的串行外围设备接口(SPI)兼容,适用于各种消费、工业和通信应用。样品于即日起出货,计划从10月开始量产。

随着器件在物联网和通信应用中的体积逐渐缩小,对小型封装的大容量闪存的需求则日益增长,而小型封装能够以低引脚数量处理高速数据传输。由于与广泛使用的SPI兼容,这些串行接口NAND产品可以用作低引脚数、小型封装和大容量的SLC NAND闪存产品。

为了能够支持高速数据传输,新的第二代串行接口NAND产品提供高于现有第一代产品[1]的性能,包括133兆赫(MHz)的工作频率和程序x4模式。此外,该系列还增加了8Gb(1千兆字节)[2]器件,以满足对更大存储容量的需求。

新产品概况

产品名称

容量

输入/输出

电压

封装

量产时间

TC58CVG0S3HRAIJ

1Gb

 

1倍、2倍、4倍

 

 

3.3V

8引脚

WSON[3]

(6mm x 8mm)

2019年10月

TC58CYG0S3HRAIJ

1.8V

2019年10月

TC58CVG1S3HRAIJ

2Gb

 

3.3V

2019年10月

TC58CYG1S3HRAIJ

1.8V

2019年10月

TC58CVG2S0HRAIJ

4Gb

 

3.3V

2019年10月

TC58CYG2S0HRAIJ

1.8V

2019年10月

TH58CVG3S0HRAIJ

8Gb

3.3V

2019年12月

TH58CYG3S0HRAIJ

1.8V

2019年12月

主要特点

容量

1Gb, 2Gb, 4Gb, 8Gb

分页大小

2KByte (1Gb, 2Gb),4KByte (4Gb, 8Gb)

接口

串行外围设备接口,型号0,型号3

供电电压

2.7至3.6V,1.7至1.95V

工作温度范围

-40 oC至85 oC

特性

• 133MHz工作频率

• 程序 / 读取4种模式

• 高速顺序读取功能

• ECC功能(开/关,位翻转计数报告)

• 数据保护功能(能够保护特定的块)

 

• 参数页面功能(能够在器件上输出详细的信息)

 
 
 
    您可能对以下产品感兴趣  
产品型号 功能介绍 兼容型号 封装形式 工作电压 备注
CS8676 2X20W/12V/4Ω或33W/16V/4Ω ESOP-16 5V-18V 扩频功能,低空载电流,40倍增益,免滤波,2X20W&33W(PBTL) D类音频放大器
CS5090 CS5090E是一款5V输入,最大1。5A充电电流,支持双节锂电池串联应 用,锂离子电池的升压充电管理IC。CS5090E集成功率MOS,采用异步开关架构,使其在应用时仅需极少的外围器件,可有效减少整体方案 尺寸,降低BOM成本 。 CS5080/CS5082 ESOP-8 4.5V-6.5V 5V USB输入,最大1.5A充电电流,带NTC,双节锂电升压充电管理电路
HT7166 输入电压范围VIN:2。7V-13V;输出电压范围VOUT:4。5V-13V;内部固定峰值电流:10A ESOP-8 2.7V-13V ESOP-8带输出关断的13V、10A同步升压IC
 
 
    相关产品  
 
 
·单节锂电池内置升压8W双声
·ESOP-8同步升压IC-
·最具性价比无电感升压5W防
·带平衡功能升压型两节锂电池
·高保真125mW立体声G类
 
 PAM8908 HT97220 CS5080 MAX97220 HT8691   

业务洽谈:手机:13713728695   QQ:3003207580  EMAIL:panbo@cchybxg.com   联系人:潘波

地址:深圳市宝安西乡航城大道航城创新创业园A5栋307/309

版权所有:深圳市永阜康科技有限公司  粤ICP备17113496号